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SQ7415EN
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TYPICAL CHARACTERISTICS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
Vishay Siliconix
20
16
12
8
4
V GS = 10 V thru 5 V
4V
20
16
12
8
4
T C = 125 °C
0
3V
0
25 °C
- 55 °C
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
0.20
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Output Characteristics
1200
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
Transfer Characteristics
0.16
1000
C iss
800
0.12
0.08
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
600
400
0.04
0.00
200
0
C rss
C oss
0
4
8
12
16
20
0
10
20
30
40
50
60
10
I D - Drain Current (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.8
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
Capacitance
8
V DS = 30 V
I D = 5.7 A
1.6
V GS = 10 V
I D = 5.7 A
1.4
6
1.2
4
1.0
2
0
0.8
0.6
0
4
8
12
16
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - Junction Temperature (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
S13-1462 Rev. E, 01-Jul-13
3
Document Number: 74488
For technical questions, contact: automostechsupport@vishay.com
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